Установка травления в индуктивно-связанной плазме SI 500

Установки травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).

Система травления  SI 500 PTSA ICP plasma etcher производства SENTECH Instruments GmbH предназначена для использования в НИОКР для реализации процессов высокоскоростного сухого плазменного травления кремния (Si), глубокое травлени кремния, (Bosсh процесс или DRIE), MEMS, диэлектриков (SiO2, Si3N4) и полупроводниковых структур, особенно III/V (таких как GaAs, GaN, InP и др.), металлов, микрооптики, наноструктур и фотошаблонов в индуктивно-связанной плазме.

Установка травления SI 500 с источником индуктивно связанной плазмы может быть использована в широком диапазоне плазменных процессов – от обычного реактивного ионного травления до процессов в плазме высокой плотности. Отличительными особенностями SI 500 являются наличие источника индуктивно связанной плазмы, электрод подложки с гелиевым охлаждением и высокопроизводительная вакуумная система. Управление всеми важными параметрами оборудования осуществляется автоматически. Установка SI 500 была разработана для использования в пилотных производствах и НИОКР. 

Отличительной особенностью системы SI 500 является запатентованный источник индуктивно связанной плазмы ICP-PTSA 200 (плоская тройная спиральная антенна), специально подходящий для травления с низким повреждением структуры, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамическим контролем температуры для поддержания постоянной температуры независимо от мощности плазмы, вакуумная система позволяет обеспечивать высокую производительность требуемую для процессов травления и магнито-пневматический загрузочный шлюз для высочайшей надежности при загрузке/ выгрузке пластин. Все важнейшие параметры системы контролируются автоматически.

Система позволяет обрабатывать как пластины диаметром до 200 мм, так и кусочки. Мощная двухступенчатая вакуумная система позволяет быстро откачивать камеру реактора и получать достаточно глубокий вакуум для проведения процессов травления.

Особенности

• Обработка пластин диаметром до 200 мм или до 300 мм
• Процесс: ICP-RIE, RIE
• Источник индуктивно-связанной плазмы (ICP)
• Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки 
• Вакуумный загрузочный шлюз
• Превосходная однородность, прекрасная воспроизводимость при травлении

• Высокая скорость травления

• Низкий уровень повреждений

• Высокое аспектное отношение

• Химия: фторна / хлорная
• Кластерная конфигурация
• Групповая обработка пластин
• Держатели для пластин меньшего размера
• Компактный дизайн и малая занимаемая площадь
• до 16 газовых линий (фторная химия)
• Программное обеспечение SENTECH control software  
• OES и лазерная интрферометрия
• Большое колличество опций

Характеристики