Установка криогенного травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 С

Установка криогенного травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 С производства SENTECH Instruments GmbH (Германия).

Система криогенного травления  SI 500 С PTSA ICP Cryo plasma etcher производстваSENTECH Instruments GmbH идеальный выбор для проведения высокоскоростного плазмо-химического травления кремния при создании MEMS структур и микрооптики.

Отличительными особенностями SI 500 С являются наличие источника индуктивно-связанной плазмы, крио-электрод (- 150°С до 400°С) подложки с охлаждением гелием и высокопроизводительная вакуумная система. Управление всеми важными параметрами оборудования осуществляется автоматически. Установка SI 500 была разработана для использования в пилотных производствах и НИОКР. 

Отличительной особенностью системы SI 500 С является запатентованный источник индуктивно связанной плазмы ICP-PTSA 200 (плоская тройная спиральная антенна), специально подходящий для травления с низким повреждением структуры, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамическим контролем температуры для поддержания постоянной температуры независимо от мощности плазмы, вакуумная система позволяет обеспечивать высокую производительность требуемую для процессов травления и магнито-пневматический загрузочный шлюз для высочайшей надежности при загрузке/ выгрузке пластин. Все важнейшие параметры системы контролируются автоматически.

Система позволяет обрабатывать как пластины диаметром до 200 мм, так и кусочки. Мощная двухступенчатая вакуумная система позволяет быстро откачивать камеру реактора и получать достаточно глубокий вакуум для проведения процессов травления.

Особенности

• Обработка пластин диаметром до 200 мм 
• Процесс: Cryo ICP-RIE, ICP-RIE, RIE
• Источник индуктивно-связанной плазмы (ICP)
• Гелиевое охлаждение обратной стороны подложки 
• Криогенный электрод (-150 oС...+400 oС)
• Вакуумный загрузочный шлюз
• Превосходная однородность, прекрасная воспроизводимость при травлении

• Высокая скорость травления

• Низкий уровень повреждений

• Высокое аспектное отношение

• Химия: фторна / хлорная
• Кластерная конфигурация
• Групповая обработка пластин
• Держатели для пластин меньшего размера
• Компактный дизайн и малая занимаемая площадь
• до 16 газовых линий (фторная химия)
• Программное обеспечение SENTECH control software  
• OES и лазерная интрферометрия
• Большое колличество опций

Характеристики