Пробники Micsig

Micsig MOIP800P является аналогом пробникам LeCroy DL07-ISO.

Благодаря эксклюзивной технологии оптической изоляции SigOFIT™ от Micsig, пробники серии SigOFIT обеспечивает коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR) 180 дБ при постоянном токе, более 128 дБ при частоте 100 МГц, до 108 дБ при 1 ГГц, способен тестировать сигналы дифференциального режима от ± 0.01 В до ± 6250 В при использовании с аттенюаторами, обеспечивая реальный сигнал. Это идеальный метод для технологии изолированных пробников.

Полупроводниковые устройства третьего поколения, такие как SiC и GaN, могут переключать высокие напряжения, содержащие высокоэнергетические высокочастотные гармоники, за несколько наносекунд. Зонд SigOFIT прекрасно подавляет колебания, вызванные высокочастотным синфазным шумом, благодаря использованию высококачественных коаксиальных ослабляющих наконечников и стандартных разъемов MMCX и MCX, предоставляя реальный сигнал каждому инженеру.

Micsig MOIP350P является аналогом пробникам LeCroy DL03-ISO.

Благодаря эксклюзивной технологии оптической изоляции SigOFIT™ от Micsig, пробники серии SigOFIT обеспечивает коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR) 180 дБ при постоянном токе, более 128 дБ при частоте 100 МГц, до 108 дБ при 1 ГГц, способен тестировать сигналы дифференциального режима от ± 0.01 В до ± 6250 В при использовании с аттенюаторами, обеспечивая реальный сигнал. Это идеальный метод для технологии изолированных пробников.

Полупроводниковые устройства третьего поколения, такие как SiC и GaN, могут переключать высокие напряжения, содержащие высокоэнергетические высокочастотные гармоники, за несколько наносекунд. Зонд SigOFIT прекрасно подавляет колебания, вызванные высокочастотным синфазным шумом, благодаря использованию высококачественных коаксиальных ослабляющих наконечников и стандартных разъемов MMCX и MCX, предоставляя реальный сигнал каждому инженеру.

Micsig MOIP1000P является аналогом пробников LeCroy DL10-ISO и Tektronix TIVP1.

Благодаря эксклюзивной технологии оптической изоляции SigOFIT™ от Micsig, пробники серии SigOFIT обеспечивает коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR) 180 дБ при постоянном токе, более 128 дБ при частоте 100 МГц, до 108 дБ при 1 ГГц, способен тестировать сигналы дифференциального режима от ± 0.01 В до ± 6250 В при использовании с аттенюаторами, обеспечивая реальный сигнал. Это идеальный метод для технологии изолированных пробников.

Полупроводниковые устройства третьего поколения, такие как SiC и GaN, могут переключать высокие напряжения, содержащие высокоэнергетические высокочастотные гармоники, за несколько наносекунд. Зонд SigOFIT прекрасно подавляет колебания, вызванные высокочастотным синфазным шумом, благодаря использованию высококачественных коаксиальных ослабляющих наконечников и стандартных разъемов MMCX и MCX, предоставляя реальный сигнал каждому инженеру.

Благодаря эксклюзивной технологии оптической изоляции SigOFIT™ от Micsig, пробники серии SigOFIT обеспечивает коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR) 180 дБ при постоянном токе, более 128 дБ при частоте 100 МГц, до 108 дБ при 1 ГГц, способен тестировать сигналы дифференциального режима от ± 0.01 В до ± 6250 В при использовании с аттенюаторами, обеспечивая реальный сигнал. Это идеальный метод для технологии изолированных пробников.

Полупроводниковые устройства третьего поколения, такие как SiC и GaN, могут переключать высокие напряжения, содержащие высокоэнергетические высокочастотные гармоники, за несколько наносекунд. Зонд SigOFIT прекрасно подавляет колебания, вызванные высокочастотным синфазным шумом, благодаря использованию высококачественных коаксиальных ослабляющих наконечников и стандартных разъемов MMCX и MCX, предоставляя реальный сигнал каждому инженеру.

Micsig MOIP500P является аналогом пробникам Tektronix TIVP05.

Благодаря эксклюзивной технологии оптической изоляции SigOFIT™ от Micsig, пробники серии SigOFIT обеспечивает коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR) 180 дБ при постоянном токе, более 128 дБ при частоте 100 МГц, до 108 дБ при 1 ГГц, способен тестировать сигналы дифференциального режима от ± 0.01 В до ± 6250 В при использовании с аттенюаторами, обеспечивая реальный сигнал. Это идеальный метод для технологии изолированных пробников.

Полупроводниковые устройства третьего поколения, такие как SiC и GaN, могут переключать высокие напряжения, содержащие высокоэнергетические высокочастотные гармоники, за несколько наносекунд. Зонд SigOFIT прекрасно подавляет колебания, вызванные высокочастотным синфазным шумом, благодаря использованию высококачественных коаксиальных ослабляющих наконечников и стандартных разъемов MMCX и MCX, предоставляя реальный сигнал каждому инженеру